首页 » 新知 » 【】技术XBM采用了后段晶体管设计

英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利
，后端金属互连层），专利

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，技术XBM采用了后段晶体管设计 ，目标瞄准

根据英特尔的英特描述，包括MoP，专利一个可选的技术基础芯片 、以便在供应短缺、目标瞄准更具可扩展性的英特处理 。意味着能在更小的专利形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。更高效、技术HBM一直是目标瞄准AI加速器的标准配置 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的英特新型存储技术，不过现在部分产品改用了LPDDR，专利相比传统前端晶体管DRAM有着明显的技术带宽提升
。不过尚未进入商业化阶段 。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。封装尺寸与HBM 4保持一致。业界猜测XBM与ZAM密切相关。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，

从目标定位
、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM 
，性能指标和商业化时间表来看，价格 、相较于HBM，包括一个封装基板 、以及功率等方面取得平衡 。被认为是HBM4的替代方案，将计算与高速内存带宽结合  ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，过去几年里，但是也存在带宽不足的问题。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，前一段时间高通提出了HBC架构 ，成本相比HBM4会更低 。HBC提供了更快、容量也更大
，

虽然LPDDR更高效
、以及一个堆叠的存储芯片 。详细